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SiC(碳化硅)功率器件技術(shù)應(yīng)用

2020-05-28 17:45 瀏覽量592 返回上一頁

與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體最為可行的候選器件。此外,SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用,從而進(jìn)一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。

真茂佳在SiC功率器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。

SiC技術(shù)應(yīng)用:

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