就整個(gè)消費(fèi)電子行業(yè)的情況來看，GaN已經(jīng)在全球主流的消費(fèi)電子廠商中得到了關(guān)注和投入，GaN也正在伴隨充電器快速爆發(fā)。今年一月，在美國舉辦的CES展會(huì)上，參展的GaN充電器已經(jīng)多達(dá)66款，其中涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個(gè)功率以及全新品類超級(jí)擴(kuò)展塢，滿足手機(jī)、平板、筆電的全方位充電需求。綜合性能和成本兩個(gè)方面，GaN也有望在未來成為消費(fèi)電子領(lǐng)域快充器件的主流選擇。

隨著用戶對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高，未來GaN快充市場規(guī)模將快速上升，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合年均增長率高達(dá)94％。

值得一提的是，在這樣的市場趨勢(shì)下，一些重要的半導(dǎo)體行業(yè)也大舉切入到GaN市場。GaN不僅僅只在充電器領(lǐng)域，憑借GaN的功率性能、頻率性能以及優(yōu)秀散熱性能，它還可用于5G基站、自動(dòng)駕駛、軍用雷達(dá)等眾多功率和頻率有較高要求的場。

GaN的應(yīng)用不僅僅止于充電領(lǐng)域

但在手機(jī)領(lǐng)域，GaN之所以越來越出名，絕不僅僅是因?yàn)榭斐?，而?G時(shí)代的到來。5G將帶來半導(dǎo)體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，因此基站及通信設(shè)備對(duì)射頻器件高頻性能的要求也在不斷提高。不僅如此，5G所需要的多重載波聚合以及基站的功率放大器，GaN都可以占據(jù)一席之地，通吃5G的上下游產(chǎn)業(yè)鏈。

在此背景下，GaN的優(yōu)勢(shì)將逐步凸顯，使得GaN成為5G的關(guān)鍵技術(shù)。隨著今年5G手機(jī)的大規(guī)模推出和各國5G基站的鋪設(shè)，和現(xiàn)有的硅、砷化鎵的解決方案比起來，GaN則能提供更好的功率以及能耗比，也更能適用于5G時(shí)代的需求。

· 在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中，基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量（如32/64等）的陣列天線實(shí)現(xiàn)更大的無線數(shù)據(jù)流量和連接可靠性，這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套。因此射頻器件的數(shù)量將大為增加，器件的尺寸大小很關(guān)鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。

· 除了基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加，基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加，因此相比3G、4G時(shí)代，5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì)，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場的突破。

同時(shí)在5G毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸，實(shí)現(xiàn)性能成本的最優(yōu)化組合。